技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 11.4 nC
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
